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晶振系列

首頁溫補(bǔ)晶振溫補(bǔ)晶振,貼片晶振,TXC晶振,7L晶振

    溫補(bǔ)晶振,貼片晶振,TXC晶振,7L晶振

  • 規(guī)格型號:20662741
  • 頻率:13.000~52.000MHZ
  • 尺寸:2.5*2.0*0.8mm 詳細(xì)資料請查看PDF
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  • 產(chǎn)品描述:廣泛應(yīng)用于軍事,工業(yè)機(jī)械,移動通訊,數(shù)碼電子,醫(yī)療設(shè)備,智能電表,汽車電子,數(shù)位單眼相機(jī)和可穿戴運動裝置設(shè)備等產(chǎn)品.

臺灣晶技晶振,7L晶振,2520晶體,溫補(bǔ)晶振
頻率范圍13.000MHZ-52.000MHZ
電源電壓:1.8V

頻率老化:  ±1.5ppm
工作溫度: -30℃~+85℃
保存溫度: -40℃~+85℃
精度 ±0.5 ppm
輸出方式:COMS
尺寸:小體積2.5*2.0*0.8mm
應(yīng)用:GPS定位系統(tǒng)、北斗導(dǎo)航定位系統(tǒng)、汽車電子、家用醫(yī)療儀、無線發(fā)射基站、太陽能追日系統(tǒng)等產(chǎn)品。

        臺灣晶技股份有限公司(臺灣證券交易所代碼:3042)總部位於臺灣北投工業(yè)園區(qū),是全球規(guī)模第七大的專業(yè)石英晶振頻率控制元件制造服務(wù)公司,為一專業(yè)之頻率控制元件制造商.多年來,我們始終以提升客戶價值為目標(biāo),提供客戶各種石英晶體振蕩器到模塊化設(shè)計(Design In)需求的完全整合方案,以滿足客戶全方位的需求;在價格、質(zhì)量、交貨期、服務(wù)等方面,晶技的表現(xiàn),始終超越客戶的期待。

       臺灣晶技晶振,7L晶振,2520晶體,溫補(bǔ)晶振,是臺灣TXC品牌的一款小體積帶有溫度補(bǔ)償功能的晶體振蕩器,本身具有±0.5ppm的超高精度,電源電壓低至1.8V~3.3V,也就是說功耗只有2.0mA Max.,并且通過了國際ROHS規(guī)定標(biāo)準(zhǔn),是一款環(huán)保晶振,7L晶振主要16.367667M、16.368M、16.369M、19.2M、26M、33.6M、38.4M和40M。

晶振型號/輸出類型 7L晶振,臺灣TXC晶體
晶振類型 TCXO振蕩器
占空比 45 % ~ 55 %
振蕩模式 基本/第三泛音
電源電壓 1.8V
頻率范圍2 13.000MHZ-52.000MHZ
頻率穩(wěn)定度 ±0.5ppm
工作溫度 -30~+85℃
保存溫度 -40~+85℃
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) 0.1VDD/0.9VDD
啟動時間 3 ms Max.
相位抖動(12千赫?20兆赫) 1個PS最大。
老化率 ±5ppm /年最大。




抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如溫補(bǔ)振蕩器從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致TXC晶振產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞貼片石英晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。

1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2.Re
其中i表示經(jīng)過單元的電流,
Re表示單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

 
2.振蕩補(bǔ)償
除非在
電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會增加啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極注意事項-振蕩補(bǔ)償.png
3.負(fù)載電容
如果
電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致溫補(bǔ)晶體振蕩器頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。

電容特征.png

頻率和負(fù)載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考.png
                           振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考

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